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IDF 2012: Hynix da vistazo al futuro en memoria DDR4 y NAND Flash a 1Xnm

La IDF 2012 fue punto de encuentro para que algunas de las compañías más importantes en semiconductores mostraran sus avances de tecnología en materia del nuevo estándar de memoria DDR4 […]

La IDF 2012 fue punto de encuentro para que algunas de las compañías más importantes en semiconductores mostraran sus avances de tecnología en materia del nuevo estándar de memoria DDR4 y memoria NAND Flash. Fue el caso de Samsung, de quien ya se percibe su prisa por introducir memoria DDR4, y a OCZ mostrando los prototipos de sus SSDs Vector. Pero quien tampoco falto al encuentro fue Hynix que asistió para introducir su próxima oferta en memoria DDR4 y también revelar que ya trabajan en un proceso de manufactura no especificado a 1Xnm para memoria NAND.

Por lo que nos comparte SEMIACCURATE, Hynix mostró módulos de memoria para servidores bajo el estándar DDR4, de los que puede anticiparse se convertirán en la competencia de Samsung. En su presentación se pudo apreciar que Hynix prepara un catálogo variado para diferentes configuraciones. En la siguiente imagen se pueden dos módulos de memoria DDR4 trabajando a 2400Mhz, de los cuales uno era de 8GB con corrección de errores (ECC) y otro de 16GB de tipo registered.

Sobre la memoria NAND Flash Hynix no dio muchas explicaciones sobre este desconocido proceso de manufactura a 1Xnm, pero es claro que la gran densidad de chips NAND que se aprecian en la oblea (de la siguiente fotografía) representa un vistazo a lo que se alcanzará después de los procesos a 22nm/20nm.

Al ver el futuro es obvio preguntarnos cuando será que veremos los primeros dispositivos con éstos chips pero aunque todavía no esta claro, la realidad es que, al principio, su precio no será nada accesible como los modelos que serán lanzados en los siguientes meses de este 2012.

Fuente: SEMIACCURATE